2018年12月19日，美国宾夕法尼亚大学材料科学与工程系陈一苇教授做客第204期南科大讲堂，为我校师生带来题为“Probing Resistance Memory Using Fracture, Pressure and Coherent Electrons”的讲座。本期讲堂由工学院副院长汪宏主持。

陈一苇，美国宾夕法尼亚大学材料科学与工程系教授，是研究完全基于电子结构性质的、纳米金属性ReRAM的国际知名专家，目前研究方向包括薄膜存储器件、能源陶瓷材料和用于生物医学的先进纳米材料。

陈一苇作报告

陈一苇深入浅出地介绍了阻变随机存储的基本工作原理以及材料相关的背景知识，认为阻变随机存储（ReRAM）能够实现电阻性能的反复调控，是一种非常有潜力的新型高密度存储器件。

陈一苇重点分享了他们团队对非晶硅等电子掺杂的无定形态、宽禁带绝缘体材料作为新型阻变存储材料的发现，并进一步阐述了他们对新型阻变存储材料工作机理的研究，即通过对这种阻变存储器件进行一定条件下的电学测试，获得不同阻态的统计学信息，引发局部构型的转变，并发现了纳米尺度下相干电子Aharonov-Bohm振荡现象。

讲座现场

在提问环节中，陈一苇与现场师生进行了交流，严谨细致地回答了师生的提问。

文字：曾晓芬 物理系 张玉波

摄影：张晓燕