近日，2025 Symposium on VLSI Technology and Circuits（VLSI Symposium）组委会公布了会议文章录用结果，南方科技大学深港微电子学院有3篇文章入选本届VLSI Symposium。

其中，林龙扬课题组入选2篇研究论文,其一为“A 425pW,0.3V,32kHz Crystal Oscillator in 22nm FDSOI with Adaptive Pulse Injection and Amplitude Regulation Across -40°C to 125°C”，论文的第一作者是深港微电子学院2023级硕士生王绪业和2023级博士生朱英杰，其二为“A Radiation-Hardened Neuromorphic Imager with Self-Healing Spiking Pixels and Unified Spiking Neural Network for Space Robotics”，论文的第一作者是访问博士程全，林龙扬助理教授为以上论文的通讯作者，南科大深港微电子学院为论文第一单位，以上工作得到了国家自然科学基金的支持。

高源课题组入选1篇题为“A Dual-Mode Direct-Drive D-GaN Driver with Reused Inductor and Power Switches for Negative Voltage Generation and Gate Energy Recycling”的研究论文。该论文第一作者为2022级博士生储鹏，高源助理教授为通讯作者，南科大深港微电子学院为论文第一单位，该论文得到了国家自然科学基金和深圳市科技创新委员会的支持。

VLSI Symposium是集成电路与半导体领域最高级别会议之一，与ISSCC、IEDM齐名，每年夏季轮流在美国和日本举办。该会议汇聚全球芯片行业的顶尖专家，共同探讨VLSI技术的最新突破与未来趋势。VLSI Symposium在集成电路与半导体领域的学术界以及工业界均享有很高的学术地位和广泛影响，入选文章不仅需要学术上的创新，更需体现成果的产业价值和技术前沿性。

供稿：深港微电子学院

通讯员：刘碧

编辑：任奕霏